永铭丨<span style='color:red'>AI</span>服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：236 继续阅读>>
永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 <span style='color:red'>AI</span> 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制
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永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

　　在 AI 算力持续爆发与供应链自主可控的双重背景下，AI 服务器主板 CPU/GPU 供电电路(VRM，Voltage Regulator Module，电压调节模块)的 DC-DC 输出端，正面临着更严苛的供电考验。公开行业资料显示，AI 芯片核心电压呈低压化趋势(典型约 0.8–1.2 V)，单相电流能力可达到百安级。以往，满足此类高端 VRM 输出端需求的低 ESR 叠层/固态类电容方案主要由少数国际一线品牌长期主导。为应对纳秒级电流瞬变(di/dt)、MHz 级开关噪声、长期高温应力三大挑战，国内 AI 服务器厂商亟需性能达到国际同等标准，同时具备快速响应、稳定供应与成本优势的国产化取代方案。　　注：以上电压/电流/频率为行业公开资料与典型 VRM 设计区间，具体以实际平台设计为准。　　理念升级：从基础滤波到精准保障，重新定义供电末端电容价值　　AI 服务器的高算力需求，使供电链路的瞬态响应速度与噪声控制精度要求显著提升。VRM 输出端的电容网络不再只是滤波/储能的通用配置，而是 AI 芯片供电的最后储能缓冲池与高频噪声泄放通道：既要在 VRM 响应延迟的空窗期快速补充能量，又要在高频段为噪声提供低阻抗路径。　　因此，供电末端电容的选型理念应从满足基础电路需求升级为匹配 AI 芯片极致供电目标，聚焦精准瞬态支撑与高频噪声抑制两大核心。　　三大核心指标：为什么 AI 服务器 VRM 输出端需要高端低 ESR 电容?　　1)纳秒级瞬态支撑：降低电压下陷风险　　在部分 AI 负载/平台的典型工况中，电流阶跃可呈现纳秒级特征(以平台与测试为准)。当 AI 计算单元在 10–100 ns 量级快速激活时，VRM 控制环路响应往往处于微秒级。若输出端电容的等效串联电阻(ESR)偏高，电荷释放速度不足，容易造成核心电压下陷，进而触发降频、错误或不稳定风险。因此，mΩ 级超低 ESR(例如 ≤3 mΩ)是满足此类瞬态供电要求的重要技术门槛之一(以目标阻抗与实测为准)。　　2)MHz 级噪声抑制：有助于提升信号完整性　　VRM 开关频率可达 MHz 量级(典型工作区间以平台设计为准)，带来的高频纹波与谐波可能耦合到 PCIe、DDR 等高速信号通道。若电容在 MHz 频段阻抗偏高，噪声难以及时吸收与泄放，可能导致信号完整性下降与误码风险上升。因此，电容在高频段保持低阻抗特性，是保障高速系统信号纯净度的重要条件。　　3)高温高纹波与长寿命：匹配 7×24h 可靠性与 TCO　　数据中心 AI 服务器 7×24h 不间断运行，电容长期处于 85–105°C 高温环境及高纹波电流应力下。若材料体系与结构设计不足，可能出现容量衰减、ESR 上升乃至早期失效，成为系统可靠性短板。因此，满足 105°C/2000 h 等寿命等级，并具备 >10 A(@45°C/100 kHz，视具体型号)纹波承载能力，是降低宕机风险与优化全生命周期运维成本(TCO)的关键。　　方案落地：永铭 MPS 系列——达到国际标准，更具备本土化高价值的替代选择　　针对 AI 服务器 CPU/GPU 的 VRM 输出端供电需求，以及本土厂商对供应链安全与成本优化的迫切诉求，永铭电子推出 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容。该系列在关键电性能与可靠性指标上对标国际主流高端产品，并在交付响应、技术支持与本土供应链稳定性方面提供附加价值。　　表 1|关键规格对标(2.5V/470µF 示例)　　表 2|实测参数(示例条件)　　表 3|容量-温度数据表(单位：µF;温度点：-55/-25/0/20/45/65/85/105°C)　　表 4|ESR-温度数据表(单位：mΩ;测试频率：100kHz;温度点同上)　　表 5|105°C 直流 2000 h 寿命验证趋势(节选)　　关键对标数据文本摘要　　• ESR：在 20°C/100kHz 条件下，永铭MPS 实测 ESR 约 2.4 mΩ;对标样品约 2.1mΩ。规格书 ESR Max 均为 3 mΩ(以具体规格书为准)。　　• 纹波电流：两者在 45°C/100kHz 的额定纹波电流指标为 10.2 A_rms(以具体型号规格书为准)。　　• 寿命：两者寿命等级均为 105°C/2000 h(以具体规格书为准)。　　结语：在国产化趋势下，为 AI 服务器供电可靠性提供可替代、可交付、可验证的选择　　在 AI 服务器的算力竞争与供应链自主化趋势下，供电链路元件的性能与来源同样关键。选择一款在核心电性能与可靠性上达到国际同等标准，同时在供应安全、成本优化与服务响应上具备本土优势的电容方案，正成为 AI 服务器厂商提升竞争力的重要抓手。永铭 MPS 系列致力于成为您的可靠替代选择。　　如需为您的 AI 服务器项目评估供电完整性(PI，Power Integrity，电源完整性)方案，获取 MPS 系列规格书、测试报告或样品，欢迎与我们联系。建议提供：核心电压范围、瞬态电流需求、PCB 布局空间、温升与寿命目标，我们将提供针对性的选型与验证建议。　　Q&A　　Q：在 AI 服务器中，如何选择 CPU/GPU 供电的 DC-DC 输出端电容?　　A：建议重点关注三大核心指标：　　1)超低 ESR(例如 <3 mΩ)，以满足瞬态供电与目标阻抗要求(以平台实测为准);　　2)高纹波电流能力(例如 >10 A @45°C/100kHz，视具体型号)，适配长期高负荷运行;　　3)高温长寿命(例如 105°C/2000 h 等级)，匹配数据中心 7×24h 工作模式。　　MPS 系列叠层固态电容围绕上述主流指标设计，并结合本土化支持，可作为高性价比替代方案参考。　　核心摘要　　适用场景：AI 服务器/高性能计算服务器 CPU/GPU 的 VRM(DC-DC)输出端滤波与储能。　　核心优势：超低 ESR(mΩ 级)瞬态支撑;高频低阻抗噪声抑制;高温高纹波与寿命等级对齐国际主流标准;并具备本土供应链稳定与快速响应。　　推荐产品：永铭电子(YMIN)MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容(2.5V/470µF 示例：MPS471M0ED19003R)。　　数据口径与商标声明　　1)数据来源：本文规格参数来自公开规格书;表 2–5 中的曲线/寿命趋势数据为我方对样品进行的对标测试结果(样品通过公开渠道采购)，用于技术交流与选型参考。　　2)测试说明：不同测试平台、样品批次与测试条件可能导致差异;本文数据仅对应所述条件与样品，不代表所有批次与全部型号。　　3)商标声明：Panasonic、GX 等为其权利人商标/系列名称。文中提及仅用于识别对标对象与技术对比说明，不构成任何形式的关联、背书或贬损。
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发布时间：2026-01-12 10:34 阅读量：310 继续阅读>>
永铭丨1U <span style='color:red'>AI</span> 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？
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永铭丨1U AI 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？

　　随着AI算力需求不断增长，服务器电源的设计面临着前所未有的挑战。在1U高度的服务器电源设计中，如何满足高功率密度、高负载稳定性，并且在有限的空间内做到小型化，一直是工程师们亟待解决的问题。　　1U电源设计：电容成为小型化的核心限制因素　　在1U AI 服务器设计的高功率密度电源方案中，电容器往往是最难压缩的元件之一。即便GaN等新型功率器件不断提高开关频率与效率，服务器的体积和散热空间却没有同步放宽。　　在这一设计中，电容不仅仅是配套元件，而是直接决定电源方案能否成功的关键因素。　　1. 电容小型化面临的挑战　　在实际的AI 服务器电源项目中，工程师通常要面对以下挑战：　　· 功率密度提升　　· 电源模块体积压缩 50% 以上　　· 长期高温下稳定运行，105℃工作环境　　· 高纹波电流承受能力，长期高负载运行　　· 容量衰减可控，保持系统稳定性　　在这些要求下，电容的尺寸压缩直接影响整个系统的设计。更小的电容体积意味着容量和纹波电流能力可能无法同时满足需求，这给设计带来了极大的挑战。　　2. GaN 电源的优势与对电容要求的提升　　随着GaN(氮化镓)技术的引入，电源开关频率、效率和体积得到了提升，但这也对电容器的性能要求提出了更高的标准。　　对于GaN电源而言，电容器不仅需要具备更高的容量密度，还需要承受更大的纹波电流和更长的使用寿命，以确保系统的稳定性。　　永铭IDC3系列电容，解决高功率密度电源方案的核心难题　　为了应对这些挑战，永铭电子推出了IDC3系列液态铝电解电容，专为 GaN AI服务器电源设计。这款电容的核心优势是高容量密度与高纹波电流承载能力，能够在高温、高负载的严苛环境下稳定运行，成为高功率密度电源设计中的“关键一环”。　　产品信息　　系列：IDC3　　规格：450V / 1400μF　　尺寸：30 × 70 mm　　结构形式：牛角型液态铝电解电容　　1.电容小型化的“底层能力”——容量密度提升70%　　IDC3 系列电容在容量密度上的提升让我们能够在不增加体积的前提下，提供更高的容量和纹波电流承载能力。与日系同类产品相比，IDC3 系列的容量密度提升了70.7%，从13.64μF/cm³提升到23.29 μF/cm³。这使得电源模块体积可以缩小约 55%，并且不影响性能稳定性。　　2.长期高负载运行中的稳定性：纹波电流和高温寿命　　在高负载、高温环境下，电容的稳定性至关重要。IDC3 系列电容能够承受高纹波电流(19A)，有效减少并联电容数量，优化电源布局，降低局部热堆积风险。　　此外，在 105℃ 的工作温度下，IDC3的寿命大于3000小时，并且容量衰减控制在8%以内，确保在长期运行中仍能维持稳定的电源性能。　　3.系统级的收益：不仅仅是电容的优化　　在 纳微(Navitas)氮化镓 AI 服务器电源方案 中，IDC3 系列电容的引入带来了以下多方面的改进：电源效率提升1%~2%、系统温升降低约10℃、电源模块体积大幅缩小。　　这些优化最终带来了整个服务器系统的稳定性和长期可靠性，充分证明了电容在高功率密度电源设计中的核心地位。　　结语：电容在1U AI服务器电源设计中的关键作用　　在高功率密度与高负载并存的1U AI 服务器电源设计中，电容不仅仅是一个元件，更是决定电源能否长期稳定运行的“关键一环”。　　永铭IDC3 系列电容，凭借其优越的容量密度、纹波电流承载能力和高温稳定性，成为了AI服务器电源设计中的重要助力。
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发布时间：2026-01-12 10:30 阅读量：287 继续阅读>>
永铭丨设计下一代<span style='color:red'>AI</span> SSD，如何选对PLP电容？
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永铭丨设计下一代AI SSD，如何选对PLP电容？

　　随着 OpenAI 掀起的大模型浪潮，以英伟达 Blackwell 架构为代表的新型 AI 数据中心正处于爆发式部署阶段。这种全球规模的算力基础设施扩容，对 PCIe 5.0/6.0 企业级 SSD 的吞吐性能、极端环境稳定性及数据安全性提出了前所未有的严苛要求。　　在万兆级持续读写的高负载环境中，断电保护 (Power Loss Protection, PLP) 电路作为数据存储的最后一道防线，正面临从“工业级”向“算力级”的品质跃迁。其核心关键在于 PLP 电容 Bank (储能电容组)，该电路直接并联在 SSD 控制器与 NAND 闪存的供电输入端，作为异常掉电时的紧急“能量水库” 。　　核心挑战：AI负载对PLP电容的双重极限要求　　在设计面向 AI 训练服务器的下一代超大容量企业级 SSD (采用 E1.L 或 U.2 形态) 时，PLP电路设计主要面临两大维度的挑战：　　1. 核心性能挑战：如何在极限空间内实现长效、快速的能量保障?　　这一挑战直接关系到数据在“断电瞬间”能否被安全保存，包含三个紧密关联的维度：　　容量瓶颈(能量密度)：企业级 SSD 内部空间极其紧凑。据行业公开资料显示，许多常规铝电解电容方案受限于材料与工艺，在标准尺寸(如12.5×30mm)下的容量有限，难以在既定空间内为TB级数据回写储备足够能量。　　寿命焦虑(高温耐受)：AI服务器7×24小时运行，环境温度常高于80°C。常规铝电解电容在长期高温下的电解液挥发与材料老化，可能导致其实际寿命无法匹配SSD长达5年以上的质保要求，带来隐性故障风险。　　响应迟滞(耐冲击)：万兆读写下的掉电保护窗口仅毫秒级。若常规铝电解电容的等效串联电阻 (ESR) 偏高，其放电速度将无法满足瞬时峰值电流需求，直接导致回写过程中断与数据损坏。　　2. 环境适应性挑战：如何突破温度边界，拓展AI存储的部署疆域?　　随着AI算力向边缘延伸，存储设备需部署在基站、车载、工厂等严酷环境。这对电容提出了独立的“环境准入”要求：　　耐宽温能力缺失：传统电容的工作温度范围(通常为-40℃ ~ +105℃)难以覆盖极寒与酷热环境。在户外-40℃以下严寒中，电解液可能凝固导致功能失效;在持续高温烘烤下，寿命会急剧衰减，限制了产品在广阔边缘场景的应用。　　技术剖析：永铭高性能铝电解电容的四维优势　　针对上述痛点，永铭 (YMIN) 通过材料体系与工艺革新，提出了以高容量密度为核心的四维解决方案。　　核心特性一：高能量密度(首要设计基石)　　在 PLP 电路中，电容必须在有限的 PCB 空间内实现最大化储能。　　技术突破：永铭 LKM 系列利用高密度电极箔工艺，在 12.5×30mm 标准尺寸下，将额定容量从行业常规的3000μF提升至3300μF。　　设计收益：物理尺寸完全相同，容量提升>10%，为超大容量 NAND 闪存提供了更充裕的断电保护安全余量。　　图1：永铭解决方案与行业常规水平对比(容量维度)　　核心特性二：耐高温长寿命(匹配企业级可靠性)　　长效运行：LKM 系列在 105°C 环境下实现 10,000 小时超长寿命，较常规方案提升 2倍以上，完美匹配企业级 SSD 的质保周期。　　极高可靠性：其失效率 (FIT) 由常规的≈50降至 <10 (优于车规级标准)，确保在整个生命周期内储能极其稳定。　　图2：永铭解决方案与行业常规水平对比(寿命维度)　　核心特性三：耐冲击与快速响应(保障瞬时供能)　　超低 ESR：通过优化高电导电解液，永铭将 ESR 优化至25mΩ (比行业常规水平35mΩ提升>28%) 。　　响应能力：更低的内阻确保了在毫秒级窗口内快速释放能量，有效防止掉电瞬间的电压塌陷。　　图3：永铭解决方案与行业常规水平对比(ESR维度)　　核心特性四：耐宽温(边缘计算的环境自适应)　　极宽温域：永铭 LKL(R) 系列具备-55℃~+135℃的工作范围，远超常规电容。　　低温启动：采用特种低温电解液配方，确保在-55℃极寒下 ESR 变化平缓，保障系统在严寒环境下的瞬时启动与放电安全。　　图4：永铭解决方案与行业常规水平对比(寿命维度)　　客户关切 Q&A　　Q：为什么 PCIe 5.0 SSD 在选型断电保护电容时，必须优先考虑“容量密度”?　　A： 核心原因在于大容量 SSD (如 8TB+) 的 NAND 闪存在断电瞬间需要回写的数据量激增，而板卡物理空间极其固定。普通液态铝电解电容因常规电极箔比容限制导致储能效率低;优先选用永铭 LKM 系列，其在同尺寸下容量提升>10%，可在不改变现有布局的前提下，为系统提供更充足的备份能量冗余。　　Q2： AI服务器为何需考虑电容的“耐宽温”特性?　　A2： 当AI算力与存储部署至边缘(如车载、户外基站)时，设备会直面-30℃以下严寒或70℃以上高温。普通电容在此环境下性能会严重衰退，导致断电保护失效。因此，为这类边缘AI服务器选型时，必须评估电容的耐宽温能力。永铭LKL系列(-55℃~135℃)专为此设计。　　选型指南：场景精准匹配　　场景A：AI服务器与数据中心核心SSD　　关键挑战：空间绝对受限，要求电容在紧凑布局内提供最大能量储备、最长运行寿命与最快放电速度。　　方案推荐：永铭LKM系列(高容量型)，典型型号 35V 3300μF (12.5×30mm)。它在同尺寸下容量提升>10%，ESR≤25mΩ，寿命达10000小时@105°C，一站式满足核心算力存储对密度、寿命与速度的极致需求。　　场景B：边缘计算、车载与户外基站存储　　关键挑战：环境温度极端(严寒至-55℃，高温至135℃)，要求电容在全温域内性能稳定、可靠工作。　　方案推荐：永铭LKL(R)系列(极宽温型)，典型型号35V 2200μF (10×30mm)。其工作温度范围覆盖 -55℃~135℃，特种电解液确保极寒下ESR仍保持稳定，为边缘AI存储提供可靠的环境适应性保障。　　结构化技术概要　　为便于技术检索与方案评估，本文核心信息摘要如下：　　核心场景：采用E1.L/U.2形态的PCIe 5.0/6.0企业级SSD，用于AI训练服务器、高性能数据中心(核心场景)。部署于边缘计算节点、车载智能系统、户外通信基站的宽温存储设备(拓展场景)。　　永铭方案核心优势：　　高容量密度：LKM系列在12.5×30mm标准尺寸下提供≥3300μF容量，较同尺寸常规产品提升>10%。　　耐高温长寿命：105°C环境下寿命≥10000小时，失效率<10 FIT，满足长期可靠运行要求。　　耐冲击与快速响应：ESR≤25mΩ，确保毫秒级掉电窗口内的快速能量释放。　　极耐宽温：LKL(R)系列工作温度达-55℃~135℃，攻克低温电解液凝固难题。　　推荐评估型号：　　永铭LKM系列：适用于追求极致空间利用率与长期可靠性的数据中心核心存储场景。典型型号：35V 3300μF (12.5×30mm)。　　永铭LKL(R)系列：适用于需要应对极端温度挑战的边缘计算与车载存储场景。典型型号：35V 2200μF (10×30mm，工作温度-55℃~135℃)。
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发布时间：2026-01-12 10:23 阅读量：291 继续阅读>>
永铭丨破解<span style='color:red'>AI</span>服务器CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？
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永铭丨破解AI服务器CPU/GPU供电困局：纳秒级瞬态如何稳压？MHz噪声怎样滤除？

　　本文摘要：AI芯片的算力狂奔，正将其供电网络推向极限。核心电压降至0.8-1.2V，单相电流冲击达百安级，导致VRM输出端出现纳秒级(10-100ns)的瞬态电流缺口与MHz级开关噪声干扰。传统电容因ESR高、高频阻抗大，已成为系统稳定的短板，而国际高端方案又存在供应链风险。本文解析供电末端三大核心指标，并以永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器)的实测对标数据为例，为工程师提供一条性能对标国际、供应自主可控的高可靠性取代路径。　　前言：供电末端的“隐形守卫”正在重新定义　　对在AI服务器追求极致算力的道路上，供电完整性(PI)是稳定性的基石。CPU/GPU的纳秒级负载阶跃如同“电流风暴”，若VRM输出电容无法在控制环路响应前(微秒级)的纳秒级空窗期快速补能，将直接导致核心电压下陷，引发计算错误或降频。与此同时，MHz开关噪声若未被吸收，会干扰高速信号。因此，输出电容已从“基础滤波”升级为“精准保障”的最后储能缓冲与噪声泄放通道。　　三大核心指标：为何传统方案力不从心?　　纳秒级瞬态支撑：ESR是决胜关键。响应速度取决于内阻，≤3mΩ的超低ESR是满足纳秒级电荷快速释放的刚性门槛。　　MHz级噪声抑制：高频阻抗特性至关重要。电容必须在开关频率及其谐波段保持极低阻抗，才能为噪声提供有效对地通路，保障PCIe/DDR等信号完整性。　　高温长寿命：匹配数据中心7x24h严酷工况。105℃下2000小时寿命及高纹波电流能力(>10A)，是应对长期高温应力、降低运维成本的基础。　　方案落地：永铭MPS系列·对标国际的国产化高价值选择　　永铭MPS系列直击上述痛点，关键参数与国际一线品牌(如松下GX系列)对标，实测表现卓越。　　简述：全温区容量/ESR曲线平滑，2000h老化测试后参数衰减优于行业平均水平，具体数据可在官网查看完整测试数据。　　Q&A　　Q：如何验证MPS电容在具体项目中的纳秒级支撑能力?　　A：建议在目标板上进行实测：使用电子负载模拟芯片的瞬态电流阶跃(如100A/100ns)，同时用高频探头监测核心电压的跌落幅度。对比更换MPS电容前后的电压波形，其更低的下陷值(Undershoot)和更快的恢复时间即为直接证据。　　结语：算力时代，稳定性同样重要　　在算力竞争与供应链自主化的双重驱动下，供电链路的每一个元件都关乎系统竞争力。永铭MPS系列以对标国际的性能实测数据、本土供应链的快速响应与成本优势，为AI服务器供电末端提供了可靠的国产化选择，助力中国AI基础设施行稳致远。　　文末摘要　　适用场景：AI服务器/高性能计算服务器CPU/GPU的VRM输出端。　　核心优势：纳秒级瞬态支撑(ESR≤3mΩ)、高效MHz噪声抑制、高温长寿命(105℃/2000h)、国产化高价值替代。　　推荐型号：永铭MPS系列超低ESR叠层固态电容(导电性聚合物片式铝电解电容器) (如：MPS471MOED19003R)。　　行动号召：获取规格书、完整测试报告与样品，请联系AMEYA360客服。　　【测试与数据声明】　　1. 数据来源：数据来源与测试声明：　　永铭MPS系列数据来源于其官方发布规格书。　　松下GX系列规格数据援引自其公开规格书，其关键性能指标(如ESR、纹波电流)已由我方实验室通过自有设备，对采购的样品(样品通过公开渠道采购)在同等测试条件下进行了验证性测试。　　本文中的性能对比基于以上来源，旨在进行客观的技术分析。　　2. 测试目的：所有测试均在同等条件下进行，旨在为工程师提供客观、可参考的技术性能比对。　　3. 局限性说明：测试结果仅对送测样品在特定测试条件下负责。不同批次、不同测试方法可能导致数据差异。　　4. 商标与知识产权：文中提及的“Panasonic”、“松下”、“GX系列”等均为其权利人的商标或产品系列名称，仅用于识别对标产品。本文数据对比不构成松下公司对我方产品的任何认可或背书，亦无贬损之意。　　5. 开放性验证：我们欢迎基于同等标准和条件的技术交流与验证
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发布时间：2026-01-09 14:12 阅读量：319 继续阅读>>
荣湃 Pai8233X 隔离驱动器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析
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荣湃 Pai8233X 隔离驱动器干货：使用注意事项 + 常见问题全解析

　　Pai8233X是基于荣湃iDivider技术开发的双通道隔离栅极驱动器，具有4A的峰值源电流和8A的峰值灌电流，最高开关频率可达5MHz，适用于MOSFET、IGBT和SiC MOSFET的栅极驱动。每个驱动器都可以作为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个可编程死区时间(DT)的半桥驱动器使用。输入VCCI支持3V至5.5V的范围，使该驱动器适合与模拟和数字控制器接口。输出侧欠压保护支持6V、9V、12V三种电平，每个器件都支持高达25V的VDD电源电压。具有供电范围广、传输延时低、CMTI能力强等特点。　　01使用注意事项　　为应对高频、大功率等复杂工况下隔离栅极驱动器的误动作与损坏风险，保证系统安全可靠工作，须在系统电路设计及PCB布局时，留意以下芯片使用相关的注意事项。图1 Pai8233X典型应用原理图　　1.1 输入端口滤波器　　为抑制PCB长走线或布局不当引入的输入噪声，建议在INA/INB端口配置RC滤波器(RIN: 0~100Ω，CIN: 10~100pF)。具体参数需在信号抗扰度与传播延时之间取得平衡。　　1.2 供电去耦电容/自举电容　　荣湃Pai8233X系列隔离驱动器的逻辑侧(VCCI)供电范围为3-5.5V，高压侧(VDDA/VDDB)最大工作电压25V。为提高工作鲁棒性并抑制电源噪声，建议在逻辑侧VCCI引脚至GND引脚采用100nF和1uF(16V/X7R)的低ESR和低ESL的标贴型多层陶瓷电容器(MLCC)并联组合。同理，在高压侧推荐VDDX引脚至VSSX引脚采用100nF和10uF(50V/X7R)的MLCC并联组合。需要注意的是，所有去耦电容应紧邻VCCI/VDDX引脚和GND/VSSX引脚放置。　　1.3 栅极驱动电阻　　合理选型栅极驱动电阻可抑制由PCB寄生参数、高电压/电流开关dv/dt、di/dt及体二极管反向恢复引起的振铃，改善EMI表现，并优化开关损耗与驱动速度。电阻值过小可能导致电压过冲与开关过快;电阻值过大则易引起开关速度降低和开关损耗过大，不利于驱动性能。栅极驱动电阻对功率器件的性能与鲁棒性具有重要影响，为了平衡系统效率和电磁干扰性能，设计中应综合考虑系统需求进行选型，其驱动电流峰值可参考下式计算：　　其中，ROH/ROL为驱动芯片导通/关断输出内阻，RON/ROFF为外部栅极导通/关断电阻，RGFET_int为功率管内部栅极电阻(可查对应功率管数据表)。　　1.4 栅极-源极并联电阻/电容　　MOS管的栅漏寄生电容(米勒电容)会在开关过程中导致栅极电压波动。当漏极电压快速变化时，米勒电容会将漏极电压的变化耦合到栅极，可能使栅极电压超过阈值，导致MOS管在关断状态下误导通。在栅极和源极之间并联电阻、电容，可以增加米勒电容电流释放路径，增大栅源电容的容值，分担米勒电容耦合的电压，从而降低栅极电压的波动幅度，减少误导通的风险。此外，并联CGS可以减小谐振频率，减小在开关过程中栅极的振铃幅度，使栅极电压波形更平滑、更稳定。RGS通常在5kΩ~20kΩ之间，CGS通常在100pF~10nF之间，具体可根据实际应用场景进行选择。　　02常见问题汇总　　1、死区时间Dead Time如何设置?　　答：Pai8233X 允许用户通过以下方式设置死区时间(DT)：　　DT引脚连接到VCCI：没有死区时间，A、B两路输出信号可以同时为高。　　DT引脚悬空或通过编程电阻连接到GND：如果DT引脚保持开路，则死区时间(tDT)设置为<15ns。如果DT引脚通过电阻与GND相连，死区时间tDT可以电阻RDT来设置。死区时间可以用公式tDT ≈ 10×RDT来计算。电阻RDT的单位kΩ，死区时间tDT的单位ns。　　当DT功能激活时，如果两个输入同时为高，则两个输出将立即变为低，此功能可以防止直通，并且不会影响正常工作时的死区时间。各种输入输出情况下死区逻辑关系如下图。图2. 输入、输出、死区逻辑关系　　2、DT引脚在芯片上电后还能更改配置模式吗?　　答：DT引脚只有在上电的时刻会去识别配置模式，一旦确定后就无法更改，除非重新下电。但是如果配置模式为接RDT到GND的模式，上电时可以通过更改电阻来修改DT时间，但无法在上电状态下更改成其他的配置模式。　　3、通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间如何选择?　　答：通过电阻RDT配置的硬件死区时间与上位机软件设置的死区时间应按照最大值进行选择。即当硬件死区时间大于上位机软件设置的死区时间时，则隔离驱动器将按照硬件死区时间进行工作。当上位机软件设置的死区时间大于硬件死区时间时，则隔离驱动器将按照上位机软件设置的死区时间进行工作。　　4、为了提高驱动器的驱动能力，能否将Pai8233X的两个驱动通道并联使用?　　答：不建议将双通道隔离驱动器的两个通道并联使用。因为并联使用对器件同步性能要求很高，Pai8233X的两个驱动通道之间有传播延时差异(一般<5ns)，且Pai8233X的默认输出状态为低电平。如果通道间出现传播延时差异，可能会导致驱动器上通道与下通道短路，最终无法实现驱动功能。荣湃目前已推出驱动能力更强的双通道隔离驱动器Pai8236X系列，峰值源电流和灌电流均达10A。如果需要更强驱动能力的芯片，可以选择此系列产品。　　5、双通道隔离驱动器如何实现负压偏置电路?　　由PCB布局非理想或MOS封装引线引入的寄生电感，可能导致功率管在开关过程中出现栅极电压振铃。若振铃超过阈值电压，将引发误导通甚至器件击穿的风险。为将振铃电压抑制在安全范围内，施加负栅极偏置是一种常用且有效的解决方案，以下是几种典型实现电路。　　图3显示了一个示例，在二次侧隔离电源上使用齐纳二极管构造一个负电源电压，为驱动器输出提供负压，让开关管实现负压关断。用户可以根据实际需求，选择不同钳位电压的齐纳二极管ZX，实现相应的关断负压值。此电路需要2路独立的隔离电源用于实现半桥配置，并且RZ上存在稳态功耗。图3. 利用2路独立电源输出级上的齐纳二极管生成负偏置　　图4显示了一个使用两组独立/四路电源的解决方案。每组电源VDDX有2路输出(VX+和VX-)。电源VX+决定驱动输出电压，VX-决定负电压关断。此方案比第一个例子所需的电源数量多，但在设置正负电源电压时更具有灵活性。图4. 利用两组/四路电源生成负偏置　　图5所示的方案采用单电源与齐纳二极管生成负偏置，结构简单、成本最低，并兼容自举高侧驱动。但需注意其存在以下局限：(1)负栅极驱动偏置同时受齐纳二极管和占空比共同影响。负偏置的能量来自于驱动信号高电平器件对耦合电容的充电，这意味着占空比决定了每个周期内对耦合电容的充电时间。因此，在此方案中，使用变频谐振转换器等具有固定占空比(约50%)的转换比较有利。(2)高侧VDDA-VSSA必须维持足够的电压来保持在建议的电源电压范围内，这意味着必须保证低侧有足够的导通时间来刷新自举电容器。因此高侧驱动无法实现100%占空比。图5. 利用单电源和栅极驱动路径上的齐纳二极管生成负偏置　　总 结　　为方便客户设计负压关断电路，荣湃现已推出集成负压偏置功能的隔离驱动产品Pai8236XNX。该芯片内部集成负偏压功能，无需外部增加额外电路元器件。
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发布时间：2026-01-08 15:40 阅读量：283 继续阅读>>
传输速度提升100%，尺寸缩小 32% ｜ 佰维ePOP5x 赋能<span style='color:red'>AI</span>穿戴设备更轻便、更智能
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传输速度提升100%，尺寸缩小 32% ｜ 佰维ePOP5x 赋能AI穿戴设备更轻便、更智能

　　随着AI眼镜、智能手表等穿戴设备持续向极致轻薄、持久续航与多模态AI应用进化，存储芯片迎来尺寸更小、功耗更低、性能更强的全面挑战。佰维ePOP5x以超小体积、高效能与高可靠优势，为移动智能终端打造“小而强”存储方案，让轻薄设备也能释放澎湃AI能力!　　佰维长期深耕智能穿戴存储解决方案，依托多层超薄堆叠封装技术+软硬件研发能力，实现产品在小型化、高性能与高可靠之间的系统级平衡，目前，佰维 ePOP 系列产品已规模化应用于多家国际头部品牌的旗舰级穿戴设备。全新推出的佰维 ePOP5x 进一步突破性能与体积边界，相较前代产品的功耗降低约 25%、封装厚度缩减约 32%，传输速率提升一倍，可充分满足移动智能设备的存储与运行需求。　　佰维 ePOP5x 的优势　　1、符合JEDEC标准，集成eMMC与LPDDR5X，球间距0.35mm，尺寸仅8.0×9.5×0.54mm，可直接贴装于主SoC，助力极致轻薄设计，赋能智能眼镜、智能手表等AI穿戴设备。　　2、LPDDR5X 核心采用超低电压架构，idle 状态功耗仅100μA，I/O 电压低至 0.3V(ODT 关闭时)，高负载场景也能控温降耗，避免宕机，显著延长移动设备单次续航。　　3、内置错误检测与坏块管理机制，支持 RPMB 安全存储和 FFU 固件升级功能，同时，支持 -25℃ to +85℃宽温工作环境，全方位保障数据安全与设备长期稳定运行。　　4、eMMC 支持 HS400 高速模式，最高数据传输率达400MB/s，LPDDR5X 最高数据传输速率达8533Mbps，配合 16n/32n 位预取架构，可快速加载内容、高效处理高频任务。　　佰维基于LPDDR5X 201球的ePOP产品，凭借超小体积、低功耗、高性能、高可靠性等优势，精准适配高端智能穿戴、移动智能设备需求，从存储端全面提升设备使用体验。　　超小体积　　大幅节省内部空间，支撑AI智能眼镜、高端智能手表等设备的轻量化设计，也为超薄手机等移动设备的集成化布局预留空间。　　低功耗　　延长设备续航，减少穿戴设备发热，提升佩戴舒适度，同时降低移动设备高负载运行时的能耗，缓解移动设备高压场景下的续航压力。　　高性能　　支持AI眼镜高负载任务，实现高端智能手表秒级开机，满足手机多任务处理、高清拍摄等需求，保障AI智能设备的沉浸式体验。　　高可靠性　　保障智能穿戴设备稳定工作，同时强化移动智能设备抗摔、抗老化能力，抵御复杂环境干扰，确保数据安全。　　佰维通过“解决方案研发+先进封测制造”的垂直整合经营模式，不仅可在产品的性能、尺寸方面不断迭代优化升级，还可以快速响应客户定制需求，实现从技术预研、工程验证到量产交付的全过程深度协同。此次佰维 ePOP5x 产品的推出，不仅展示了佰维在智能穿戴领域的技术进步与创新，同时也为移动智能设备提供了“小尺寸 + 高效能”存储的方案。　　随着AI穿戴设备向更加轻量化、更加智能的交互方式演进，佰维也将聚焦终端厂商客户与用户体验，在小型化嵌入式存储方面积累更多核心技术与高价值专利，打造面向端侧AI时代的高性能、低功耗、高可靠嵌入式存储标杆产品体系，持续赋能全球智能终端产业创新。
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发布时间：2025-12-19 13:22 阅读量：409 继续阅读>>
广和通全栈式端侧<span style='color:red'>AI</span>能力，解码<span style='color:red'>AI</span>普惠破局之道
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广和通全栈式端侧AI能力，解码AI普惠破局之道

　　12月13日，在北美数字化俱乐部(BDC)主办的“首届创新大会”上，AI智能跃迁成为讨论的焦点。作为全球领先的无线通信模组和AI解决方案提供商，广和通不仅是参与者，更是赋能者和破局者。面对AI从云端下沉至边缘侧的需求，广和通AIS产品事业部总经理刘子威不仅带来了前瞻性的思考，更为解决行业痛点提供了一套标准化“解题思路”。　　核心破局：Fibocom AI Stack 加速端侧AI落地　　平台碎片化、算力受限、能效挑战及模型部署复杂，这“四座大山”成了端侧AI部署的困局。刘子威在演讲中指出：非标准化难题需要“全栈式解决方案”，广和通不仅提供通信模组，还推出集硬件、引擎、工具链、模型及服务为一体的端侧AI解决方案Fibocom AI Stack。　　硬件底座：算力全覆盖　　跨度大： 提供 1–100 TOPS 的高性能 AI 模组体系。　　灵活适配： 无论是低功耗的传感器分析，还是高算力的实时视频处理，都能找到对应的“心脏”。　　中台加速：效率倍增器　　引擎优化： 针对不同平台适配的高效推理引擎，利用好每一分算力。　　工具链闭环： 提供标准化的模型转换与量化部署工具。让开发者告别繁琐的手动调优，实现“模型进，应用出”。　　算法模型仓：开箱即用　　广和通自研了一系列轻量化、高性能的模型，直接降低了应用门槛：　　大脑(LLM)： 端侧稳定运行 Qwen 3系列大模型，让设备具备思考与对话能力。　　耳朵(FiboASR)： 多语种语音识别，听得准。　　嘴巴(FiboTTS)： 高质量语音合成，说得真。　　眼睛(FiboDet & FiboSeg)： 针对低算力平台优化的视觉检测与分割算法，看得清且跑得快。　　创新实践：Fibocom AI Stack赋能多个智能场景　　广和通端侧AI 解决方案，全面展现了其技术的工程化成熟度与场景适配能力，可赋能多个应用场景。　　AI 玩具解决方案支持自然语言与按键双交互模式，兼容语音唤醒与按键唤醒，实现拟人化自然对话与实时互动，带来更沉浸的陪伴体验。　　依托广和通纯端侧语音识别和纪要生成能力，会议终端即使在无网络环境下，也能完成实时转写与会议内容总结，为高隐私与高可靠性场景提供稳定支持。　　智能割草机器人方案融合机器视觉、深度学习与高精度差分 GPS 定位技术，实现无围线部署、环境感知、精准定位与自主导航等关键能力，大幅提升作业智能化与安全性。　　持续深耕端侧智能，携手生态迈向万物智联　　智能终端的进化不仅需要连接(Connect)，更需要端侧的智慧(Intelligence)。依托在通信与 AI 领域的深厚积累，广和通正通过全栈AI能力，推动机器人、消费电子、工业互联及智能汽车等领域加速迈向“万物智联”。未来，设备将不再是被动的工具，而是具备感知、理解和决策能力的智能体。
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发布时间：2025-12-16 15:16 阅读量：416 继续阅读>>
富瀚微发布FH8856V500: 4K智能高清<span style='color:red'>AI</span> ISP网络摄像机SOC芯片
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富瀚微发布FH8856V500: 4K智能高清AI ISP网络摄像机SOC芯片

　　富瀚微FH8856V500是面向网络摄像机应用的高性能H.264/H.265智能AI降噪SoC芯片。该系列芯片支持4K图像输入，内置1Tops智能引擎，具备卓越的图像处理能力、高品质编码性能及智能处理功能;同时支持AI ISP 技术，可提供优异的夜视图像处理效果，适用于4MP/6MP/8MP规格的智能IPC应用方案。此外，其配备应用所需的完备外设接口，如USB、SDIO及Ethernet PHY等，满足多种网络摄像机产品应用需求。
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发布时间：2025-12-15 15:29 阅读量：386 继续阅读>>
太阳诱电：扩充面向<span style='color:red'>AI</span>服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化
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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格
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发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：447 继续阅读>>

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